技术编号:6812666
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种可控硅生产工艺。 背景技术目前常规可控硅生产工艺,3时芯片,片厚在200到230微米之间,常规高温穿通条 件1270度,150-180小时,而在生产4时或4时以上芯片时,为了保证工作过程中硅片不破 裂或少破裂,片厚必须加厚至250-260微米,而穿通扩散与其它常规扩散一样,扩散过程越 往后速度越慢,为达到穿通效果250的片厚穿通时间要达500小时(1270度)以上,260厚 的更是超过650小时(1270度)甚至有时无法穿通,生产中极大的影响...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。