技术编号：6812667
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。 背景技术在单向可控硅的应用中，快速开关线路占有很大的一部分，可控硅的开关参数在 某些场合下显得尤为重要。在目前常规生产工艺中，可控硅的开关参数偏低，兑档率不高， 而稳定的保持较高的开关参数对某些产品来说成为该产品性能的关键部分。发明内容本发明的目的是提供。本发明采用的技术方案是，包括氧化、光刻穿通区、穿通扩散、短基区 扩散、光刻阴极、阴极扩散步骤，在光刻阴极和阴极扩散步骤之间增加有阴极区补浓硼和二 次光刻阴极步骤，所述阴极区补浓硼步骤为将光刻...
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