技术编号：6813455
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。 背景技术 随着半导体器件中更精细的结构和更高的半导体元件集成密度的发展，减少半导体器件中的互连阻抗就变得重要起来。作为减少互连阻抗的措施之一，嵌入Cu互连的半导体器件被引入到实际使用中，其中Cu被用作互连的材料，并且使用所谓的大马士革处理来制造互连。需要指出的是，互连不但如上所述减少了互连阻抗，而且应该具有更高的电子迁移阻抗。这同样适用于嵌入Cu连接的情况。为了获得更高的电子迁移阻抗，将包括诸如Al和Ag等其他金属元素的Cu合金用于Cu连接，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。