技术编号：6813812
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及单晶硅抛光片的化学清洗工艺，尤其涉及硅抛光片的慢提拉红外干燥 工艺。背景技术单晶硅片抛光后的化学清洗是利用各种化学试剂和有机溶剂与吸附在被清洗物 体表面上的杂质及油污发生化学反应或溶解作用.或伴以超声、加热、抽真空等物理措施， 使杂质从被清除物体的表面脱附(解吸)。然后用大量高纯水、冷去离子水冲洗，从而获得 洁净表面的过程。由于硅片经过不同工序加工后，其表面会受到严重沾污，因此在以往的硅片清洗 工艺中，清洗步骤、干燥工艺的选择等直接影响硅片表面质...
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