技术编号：6814166
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体集成电路器件制造技术。特别是本发明涉及一种在应用于采用溅射形成的Co(钴)膜的“Salicide”(自对准硅化物)工艺时有效的技术。背景技术 过去主要采用多晶硅和Al(铝)作为形成于Si(硅)衬底上的半导体集成电路的电极和布线材料。然而，近年来随着半导体器件按比例缩小，试图引入例如W(钨)、Ti(钛)、钴等难熔金属和它们的硅化物作为新电极和布线材料，因为这些金属和金属化合物的电阻比硅低，抗电迁移性比Al高。通过在氩中溅射烧结难熔金属(硅...
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