技术编号:6814657
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用来从存储在双坩埚的半导体熔料拉制半导体单晶的单晶拉制装置。切克劳斯基(CZ)生长法是目前知道的用来生长诸如硅(Si)或者砷化镓(GaAs)的半导体晶体的各种方法之一的例子。由于这种CZ生长法能够容易地生成大直径、高纯度、没有位错或者具有非常低的点阵缺陷密度的单晶,所以,它被广泛地用于生长各种半导体晶体。近年来,对具有均匀的氧浓度和杂质浓度等级的大直径、高纯度单晶的需求已经促使在各个方面得到改进的这种CZ生长法满足这些需求。已经提出的对上述CZ生...
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