技术编号：6814684
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种动态随机存取存储器(DRAM)绝缘层上有硅(Silicon OnInsulator；SOI)的结构和工艺，特别是涉及一种改进的绝缘层上有硅的制造方法，以增加操作时的速度和软错免疫力(Soft-Error Immunity)。DRAM包含一个阵列的电荷存储电容器(Storage Capacitor)和一个对应阵列的转换场效应晶体管，在进行数据的读取与写入的操作时，此DRAM的转换场效应晶体管可以用作开关(Switch)，其一边耦合到电荷存储电容...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。