技术编号：6814707
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体器件及其制造方法，更具体涉及。背景技术 一般，半导体存储器可以分为易失存储器和非易失性存储器，易失存储器包括DRAM(动态RAM)和SRAM(静态RAM)。一般，DRAM具有比SRAM更高集成度，这是DRAM更广泛地用作计算机的存储器的理由。DRAM的单元阵列区上的单位单元包括一个单元电容器和一个存取晶体管。随着DRAM的集成度增加，DRAM单元具有已广泛采用的位线上的电容器结构(COB)，以便增加DRAM电容器的电容量，在此情况下，单元电...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。