技术编号:6815078
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及一种半导体器件,尤其是涉及一种用半导体薄膜作有源层的半导体器件及其制造方法。本发明还涉及具有晶体硅薄膜制成有源层的薄膜半导体晶体管。近来,半导体薄膜晶体管(TFT)器件更加广泛地应用于电子部件或元件、特别是降低厚度的显示装置以及数字集成电路(IC)组件的制造,这些装置的速度及成本优势增加。由于这些电子装置要求更高组装密度、更高的速度和低的能量消耗,TFT的性能及可靠性变得更加重要。一些现有已知TFT由硅薄膜形成在有电介质表面的衬底上,典型地薄...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。