技术编号：6815098
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光生伏打元件，特别涉及薄膜太阳电池的制造方法，涉及特性良好和成品率高的光生伏打元件的结构，特别涉及太阳电池的结构。背景技术 近年来，面对太阳电池的太阳光发电的实用化，进行着各种各样的研究开发。为了将太阳电池确立作为供给电力需要的电池，要求使用的太阳电池的光电变换效率非常高，其可靠性优良，并且可进行大量生产。非晶硅太阳电池与使用结晶系Si等制成的太阳电池比较，因其可低成本生产并且生产率高而引人注目。其理由是，使用容易获得的硅烷等气体作为原料气体，将...
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