技术编号：6815130
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，尤其涉及防止杂质扩散引起的不良结果的薄膜晶体管的结构及其制造方法。用图68说明现有的薄膜晶体管(THIN FILM TRANSISTOR，以下简称TFT)90的结构。图68表示TFT90的断面结构。在图68中，在硅基板1上形成第1氧化膜2，在第1氧化膜2上有选择地形成多晶硅的衬垫层(pad layer)3。而且形成第2氧化膜4，以便覆盖第1氧化膜2和衬垫层3。在第2氧化膜4的上部形成TFT主要部分11。TFT主要部分11由漏极6、沟道7、源极8...
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