技术编号:6815276
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,特别涉及一种能够可靠地连接器件的上层金属布线和下层金属布线的形成层间绝缘膜的方法,所述器件的单元区和外围电路区之间具有球面形貌。一般用于整平金属布线间绝缘膜的平面化技术包括SOG(旋涂玻璃)平面化、O3-TEOS氧化膜平面化、SOG局部深腐蚀平面化和O3-TEOS氧化膜+SOG深腐蚀平面化技术等等。上述每种技术各有其优缺点。首先,关于SOG平面化技术,金属图形间的间隙掩埋效应和平面化特性优良。然而,由于SOG通过通孔的侧壁被暴露,通孔的侧壁...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。