半导体加速度传感器的制作方法技术资料下载

技术编号:6815343

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本发明涉及包括半导体加速度传感器的半导体器件,该半导体加速度传感器用诸如硅的半导体晶体的压力电阻效应而将位移转变成电信号。图4展示出由由日本未审特许公开平1-302167公开的用微切削加工制造的半导体加速度传感器。悬梁21在支承体24附近由腐蚀形成的槽23,因而在此形成薄的部分22。在构成桥式电路的传感器的顶表面上形成压敏电阻器2。悬梁的末端加有砝码4。如附图说明图10所示,日本审查的实用新案公开平3-20780公开了用电镀法制成的金属砝码的实例。而且,图...
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