技术编号:6815343
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及包括半导体加速度传感器的半导体器件,该半导体加速度传感器用诸如硅的半导体晶体的压力电阻效应而将位移转变成电信号。图4展示出由由日本未审特许公开平1-302167公开的用微切削加工制造的半导体加速度传感器。悬梁21在支承体24附近由腐蚀形成的槽23,因而在此形成薄的部分22。在构成桥式电路的传感器的顶表面上形成压敏电阻器2。悬梁的末端加有砝码4。如附图说明图10所示,日本审查的实用新案公开平3-20780公开了用电镀法制成的金属砝码的实例。而且,图...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。