技术编号：6815551
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用等离子CVD法即化学汽相沉积法进行在基板上形成薄膜的等离子体处理装置，特别涉及用等离子CVD法进行在液晶用玻璃基板等大型基板上形成薄膜的等离子体处理装置。传统的用等离子CVD法进行在基板上形成薄膜的等离子体处理装置的结构表示在后述图6中，在从真空排气口12进行真空排气的室1的内部的下部具有电气接地的下部电极4，在此下部电极4内设置可加热至例如约400℃的加热器3，将玻璃等组成的基板2载放在所述下部电极4上、且可被加热至规定温度。室1的上部具有盖...
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