技术编号：6815656
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般地涉及外延圆筒反应器，更具体点说涉及一种能防止金属污染的圆筒反应器用的冷却系统和操作方法。本发明一般涉及的那种圆筒反应器被用来在半导体晶片上沉积外延生长层。外延生长在半导体材料工业中是用来使半导体材料达到所需电学性能的一种重要方法。例如在一个重掺杂的基底上生长的轻掺杂的外延层允许CMOS(互补金属氧化物半导体)器件被优化，以便闭锁由于基底的低电阻而得到的抗扰性。其他还可得到的好处如能精确地控制掺杂物浓度的分布和不受氧的影响。载运拟沉积到晶片上的材...
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