技术编号:6815988
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于太阳能应用领域,尤其涉及一种铝硼共掺的硅太阳电池背场及其制作 方法。背景技术太阳能是一种分布广泛、用之不竭的清洁能源。太阳电池是一种将太阳能转化为 电能的器件,但目前作为光伏市场主体的晶硅电池转换效率依然不高,这严重影响了太阳 能的推广和使用。在硅太阳电池的常规制备工艺中,背面的电极接触除了两条平行的银电极外,其 余部分(除边缘l_3mm处裸露外)均用丝网印刷方法印刷铝浆后烧结形成铝背层。这种铝 背层结构的一个明显的优势就是在烧结过程中,铝和硅反...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。