技术编号:6816052
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种通过化学机械抛光用于集成电路绝缘的电绝缘材料的平整化技术。在微电子领域内,在使尺寸减小和增加密度过程中产生了绝缘技术。因此基于局部氧化的有源区域的绝缘技术之后是通过浅槽绝缘使所说的有源区域侧向绝缘的技术,上述浅槽绝缘包括蚀刻这些槽以填充非导电材料以及将这种绝缘层平整化的步骤。这些绝缘技术的主要困难在于非导电材料的平整化。化学机械抛光似乎是平整化工艺最有效的手段。其优点在于采用常规的液体或激光蚀刻技术来蚀刻材料,同时可以非常有效地使原来的凹凸不...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。