技术编号：6816148
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，特别是涉及具备有应用于半导体衬底和导电层之间接触区域的杂质浓度分布的。近年来，随着半导体集成电路器件的集成度显著提高，器件的微细化急速地向前发展。特别是作为半导体存储器件，在动态随机存取存储器(DRAM)中，存储器的集成度随着存储容量从64兆位到256兆位，进而到千兆位的增加而不断地提高。作为构成这样地高度集成化了的存储器的有源器件的场效应晶体管和电容器，必须各自具备微细化的构造。另一方面，随着有源器件的微细化，与半导体衬底的杂质区域接触的接触...
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