技术编号:6816491
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及使用强电介质电容器的半导体存储器。背景技术 在半导体存储器中,主要采用在半导体器件内形成的存储器单元电容器中积蓄电荷、并根据其电荷的有无存储数据的方式(一般将动态方式存储器称为DRAM)。这种存储器单元电容器,以往使用硅氧化膜作为电容绝缘膜。最近,设计出使用强电介质材料作为存储器单元电容器的电容绝缘膜,实现存储数据的非易失性的半导体存储器。下面,对使用强电介质膜作为存储器单元电容器的电容绝缘膜的半导体存储器进行说明。图9表示以往的半导体存储器的电...
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