技术编号:6816510
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件,特别是涉及用来抑制由在其构成构件的内部产生的热应力所引起的性能劣化或可靠性降低的构成。以往,作为半导体器件,有的具有多层布线,在这样的半导体器件中,下层布线和上层布线通过已形成于层间绝缘膜上的接触孔而进行电连。附图说明图13是用来说明这样的半导体器件中的布线构造的说明图,图13(a)是平面图,图13(b)是其XIIIb-XIIIb线剖面图。在图中,250是已在硅衬底5上边形成的布线构造。该布线构造250具有沿第1方向D1延伸的、以与第...
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