技术编号：6816511
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件，特别是涉及强电介质存储器件中对特性离散和特性退化的改进。作为现有的半导体器件，已开发出了从例如已搭载有放大电路，振荡电路和电源电路等的规模比较小的集成电路，到作为微处理器或存储器件的大规模的集成电路的各种器件。特别是近些年来，作为非易失性存储器件的一种，人们提出了一种带有强电介质电容器的强电介质存储器件。上述强电介质电容器由相向的一对电极和由被夹在该两电极之间的强电介质材料构成的电介质层构成，对于上述两电极间的外加电压与强电介质材料的...
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