技术编号：6816858
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及改进的等离子体腐蚀反应器装置和方法。背景技术 在如高密度动态随机存取存储器(“DRAM”)和铁电随机存取存储器(“FRAM”)等的高密度半导体芯片的开发中使用一组新的形成膜(emergingfilm)非常有用。这些材料通过减少存储器衬底上各结构(feature)的尺寸提供更高容量的器件。因此，需要增强的外形控制技术。过去，已使用了大量的技术来得到需要的半导体结构壁外形。一个技术是被归为物理腐蚀方法的离子研磨。采用该技术，离子研磨束用于物理地溅射掉...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。