技术编号:6816860
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及改进的等离子体腐蚀反应器设备和方法。发明的背景技术 已有技术中有许多用于半导体晶片的等离子体腐蚀的装置和方法。一个成功的这种设备和方法公开于美国专利4464223,对其的再审查证书颁布于1991年4月9日。此等离子体腐蚀反应器记载了由三个电极界定的反应室。上电极接地,而下电极被施加以低频电源以及直流电源。下电极也是保持半导体晶片定位的吸盘。另一电极置于上下电极之间,并且围绕反应室周边定位成基本是圆筒状。此电极被提供有高射频电源。按此设置,使用高低...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。