技术编号：6816965
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。发明的背景发明的领域本发明涉及半导体器件的制造，特别涉及加工用于制造集成微机械传感器的半导体衬底的表面的工艺。相关技术的说明局部氧化(LOCOS)工艺是形成已知为场氧化物的厚(一般为5000埃到10000埃)氧化物隔离区的公知技术。在一种典型的LOCOS工艺中，构图形成于硅衬底表面上的氮化硅层，以形成暴露衬底的某些部分的开口。然后在氧中加热衬底，在开口中生长场氧化物。然后剥离氮化层，并在借场氧化物彼此隔离的衬底各区域中和上形成如晶体管等常规集成电路元件。如...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。