技术编号:6817054
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。 背景技术CMP是通常用于降低半导体晶片正面粗糙度的单面抛光方法。因此也称为镜面抛 光。CMP过程中,半导体晶片要抛光的面通过旋转的抛光头压在旋转的抛光垫上,并在存在 提供的抛光剂时进行平滑处理。除了其它因素,抛光过程中产生的材料去除取决于半导体 晶片压在抛光垫上的压力。还有可能在不同的区域选择不同的抛光压力,从而产生能带来 不均勻轮廓的材料去除,如果认为材料去除是沿着半导体晶片的直径的。可以借助压力室 或压力环建立起压力区域。举例而言,US ...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。