技术编号:6817079
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。以下公开涉及用于以高蚀刻速率选择性去除二氧化硅的蚀刻组合物,特别是涉及用于湿法蚀刻二氧化硅的组合物,该组合物具有高的相对于氮化硅膜的蚀刻选择性,而且适合以高蚀刻速率去除二氧化硅而在大基底上进行的单个型湿法蚀刻工艺。背景技术近来,在半导体清洗工艺中通常采用批量型替代单个型。单个型所使用的方法是一片接一片地处理晶片,其与批量型相比具有很多优点。也就是说,因为在每个工艺中可提供新的化学品而且对其他晶片没有影响,所以可解决颗粒重新附着的问题。另外,因为晶片在淋洗工...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。