技术编号：6817518
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种内存元件，特别是涉及一种程序设计一内存单元的临界值变更材料以允许多级数据储存的方法及其相关读取技术的(MULTI-LEVEL MEMORY DEVICE AND METHODS FORPROGRAMMING AND READI NG THE SAME)。与本发明相关申请案的互相参照本申请案与下列的申请案有关(1)、美国专利申请日为2003年6月18日，申请号为10/465120号的专利申请案，名称为“调整内存单元的临界电压的方法”，其与本申请...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。