技术编号:6817525
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种,且特别是有关于一种应变通道互补型场效应晶体管(strained channel complementaryfield-effect transistor)及其制造方法。背景技术 近十几年来,随着金氧半场效晶体管(metal-oxide-semiconductorfield effect transistor,MOSFET)尺寸的缩小,包括栅极长度与栅极氧化层厚度的缩小,已使得持续改善速度效能、密度与每单位IC(integratedcir...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。