技术编号:6817790
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种氮化镓系发光二极管(LED)技术,特别是涉及一种垂直氮化镓系发光二极管结构及该结构中基材与薄膜分离的方法(GALLIUMNIRIDE VERTICAL LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURE AND METHOD OFSEPARATING A SUBSTRATE AND A THIN FILM IN THE STRUCTURE)。背景技术 半导体发光二极管(LED)的发展已有数十年历史,其发光效率的提升与否一直为LED能...
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