技术编号：6817792
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于一种发光二极管结构，尤其是关于一种由III-V族元素(III-V group element)构成，具有建构式氧化薄膜接触层的发光二极管结构。背景技术 氮化镓(GaN)基外延技术自1993年为日本专家突破后，在全球掀起了氮化镓基蓝光发光二极管产业化的高潮。已知的氮化镓系发光二极管结构1(如图1所示)是形成于一基材10上，例如Al2O3的基材，其结构从下至上依序为晶核层(nucleation layer)12、用以使后续长晶更加顺利及容易的N型掺...
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