技术编号：6818182
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。环硼氮烷化合物用于形成例如半导体用层间绝缘膜、障壁金属层、蚀刻阻止层。背景技术 随着信息设备的高性能化，LSI的设计标准正在逐年精细化。在精细设计标准的LSI制造中，构成LSI的材料也必须是高性能的，并且即使在精细LSI上也能发挥功能。例如，就用于LSI中的层间绝缘膜的材料而言，高介电常数成为其信号延迟的原因。在精细的LSI中，该信号延迟的影响特别大。因此，希望开发能用作层间绝缘膜的新型低介电材料。另外，为了能够用作层间绝缘膜，不仅要求介电常数...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。