技术编号：6818553
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种场效应型半导体设备，其提供有接收栅极电极的场效应的主体区域和安置在主体区域下的漂移区。更为特别的，它涉及一种高耐电压场效应型半导体设备，其可以增强对于高电压的耐压性能同时不会牺牲开启电压。背景技术 现有技术中使用的场效应型半导体设备用于电源设备(例如，公开号为09-283754的JP专利申请等)。这种类型的场效应型半导体设备通常具有如图20所示的结构。部分E-E的截面图和图1基本相同，只是数字从“1**”变为“9**”。在下文中，应该像提到图...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。