技术编号:6818735
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种静态半导体存储器装置,更具体地是涉及静态随机存取存储器(SRAM)单元的改进措施。现有技术的SRAM单元是由利用交叉耦合的第一和第二反相器形成的触发器和连在触发器的第一和第二节点与数据线之间的传送晶体管构成的。即,第一反相器是由电源线与第一节点之间的一个第一负载电阻和第一节点与地线之间的一个驱动MOS晶体管形成的。类似地,第二反相器是由电源线与第二节点之间的一个第二负载电阻和第二节点与地线之间的一个第二驱动MOS晶体管形成的。在这种SRAM单...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。