技术编号：6818768
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种发光二极管，特别是指一种透光窗户层超晶格发光二极管。发光二极管已是被广泛使用的半导体元件。习知的磷化铝铟镓发光二极管，于一n(p)型砷化镓基板上包括有一n(p)型磷化铝铟镓限制层，一磷化铝铟镓活化层及一p(n)型磷化铝铟镓限制层。发光二极管之p(n)型限制层的电阻太高，无法使正电极所流出电流均匀散流至发光二极管晶粒边缘。且，于p-n介面的活化层无法均匀产生光，而使大多数电极所流出电流直接流至背面负电极，导致大多数电流产生的光被不透明正电极所反...
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