技术编号：6818773
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件，特别涉及在绝缘层上的硅衬底(SOI)上形成的金属—氧化物—半导体场效应晶体管(MOSFET)。传统的金属—氧化物—半导体(MOS)晶体管往往是利用已知的SOI衬底在绝缘体上形成薄膜半导体器件。具体地说，将氧化物膜(即绝缘体)埋入硅衬底中，接着在氧化膜上形成有源区域(硅层)，在此情况下，源扩散层、漏扩散层和沟道区分别在有源区内形成。再经过栅氧化物膜在沟道区上方形成栅区。这里的栅区是由多晶硅形成的。另外，在栅区两侧表面形成侧壁。在这种...
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