技术编号：6818825
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体元件，且特别涉及一种具有多重栅极与低接触电阻的金氧半导场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field EffectTransistors；MOSFETs)的制造方法。背景技术 极大型积体(ULSI)电路制作的关键半导体技术为金氧半导场效晶体管技术。在过去数十年间，由于金氧半导场效晶体管的尺寸的持续缩小，其速度性能、电路密度及单位元功能的成本也不断地改善。随着传统块材金氧半导场效晶体管的栅极尺寸的缩减，源极与漏...
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