技术编号：6818856
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体晶片及其制造方法，特别是，涉及一种具有半绝缘多晶硅吸杂位置层的半导体晶片及其制造方法。半导体器件在集成密度方面已经得到了提高。集成电路可同时制造在大直径硅晶片上，使得器件制造技术变得很复杂。需要适当的吸杂技术用于下一代的半导体器件。裸露区固有的吸杂是一种用于硅晶片的典型吸杂技术。然而，裸露区固有的吸杂方法需要对大直径的硅晶片进行长时间的热处理，而长时间的热处理是很昂贵的。多基底密封吸杂是一种外部吸杂技术，并且多晶硅层可形成在硅晶片的基底...
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