技术编号:6818919
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及制造半导体器件的方法。特别是,本发明涉及。半导体器件被构造得越来越精细以与其大规模相符。其结构越精细,由于寄生电阻和寄生电容引起的对半导体器件的特性的影响就越大。为了生产更大规模的集成电路或提高其计算速度,对于更大规模集成电路来说,它需要以更高的速度工作。半导体器件的工作速度主要取决于作为开关元件的半导体元件的电阻与其栅极电容的乘积,即称为CR时间常数。CR时间常数越小,其工作速度越高。较高的速度特性是通过带有较小CR时间常数的半导体器件的更精细...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。