技术编号:6818954
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及介电常数降低的二氧化硅绝缘膜及其形成方法,而且涉及在半导体器件的多层互连之间的介电常数降低的二氧化硅层间绝缘体及其形成方法,此外还涉及具有带介电常数降低的二氧化硅层间绝缘体的多层互连结构的半导体器件及其制造方法。随着超大规模集成电路的集成度的提高,半导体集成器件的特征尺寸已降低至亚微米数量级,而且多层互连技术变得愈加重要。为了使不同层的互连电绝缘,在不同层的互连之间设置层间绝缘体。除了良好的间隙填充特性之外,层间绝缘体需要具有高温下的高稳定性和强...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。