技术编号:6819158
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在同一基片上集成例如第1、第2绝缘栅型晶体管而成的MIS型结构的,特别涉及使用在混装存储单元部分和其外围电路部分而成的DRAM中的。对在半导体基片上形成的绝缘栅型晶体管进行微细化高集成化,通常不仅能减少元件所占的面积,而且对增大元件的电流驱动力和减小寄生电容等LSI性能的提高是有用的。在已有的研究水平中,典型地试制成功了栅极长0.1μm以下的CMOS,实际地确认了其高性能。作为这种微细技术中的重大的障碍,是随着栅极长度的缩小,有阈值电压的绝对值降...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。