技术编号：6819213
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及半导体器件工艺，尤其涉及在半导体器件上提供扩散阻挡层。目前半导体器件所需速度已超过200兆赫兹。为制造下一代半导体器件，要将铜(Cu)用于互连。采用铜将引起的问题之一是铜不能直接接触二氧化硅，这是因为铜很容易扩散穿通二氧化硅层。因此，在现有工艺中一般铜的所有面均被扩散阻挡层所包围。铜的扩散阻挡层包括大量材料，如氮化硅，各种难熔金属氮化物(TiN，TaN，WN，MoN)和难熔硅氮化物(TiSiN，TaSiN，WSiN)或难熔金属-半导体-氮化物...
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