技术编号：6819242
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，特别是涉及含有金属硅化物的。以下参考图6说明这种。首先，如图6(A)所示，在硅(Si)半导体衬底1上选择地形成器件分隔区域2，然后通过磷(P)的离子注入形成N-阱区域3。形成栅氧化膜4，形成多晶硅的栅电极5，在栅电极5的侧壁上形成氧化膜构成的侧壁6。例如以20keV的加速能量、3E15(＝3×1015)cm-2的剂量的条件，离子注入BF2离子，例如通过在氮气氛中、1000℃下的10秒热处理进行激活，形成P型源·漏区域7。然后，如图6(B)所示，...
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