技术编号：6819264
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的制造技术，尤其是涉及具有在内层绝缘结构上形成布线带后可用氢离子改变其阈值电压的场效应晶体管的半导体器件的制造工艺。精确地控制场效应晶体管的阈值电压是非常重要的。当阈值电压尽可能地接近设计值时，场效应晶体管呈现设计的晶体管特性，例如开关速度和漏电流量。各种因素影响阈值电压，举例来说有栅绝缘层厚度、栅电极宽度和引入沟道区的掺杂杂质量。在制造过程中这些因素会波动。当场效应晶体管的尺寸的缩小呈现越来越小时，对波动的控制变得非常困难。制造者只能...
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