技术编号:6819272
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及形成集成电路的方法及由此形成的电路,更具体地说,涉及形成集成电路电容器的方法及由此形成的电容器。对容量更高的半导体存储器件的需求造成了经过改进的形成储存器件及其中的结构集成度水平更高的技术。但是,因为较高的集成度水平一般都要求单个存储单元尺寸较小的存储器件,在存储器件,诸如DRAM(动态随机存取存储器)中,存储单元电容器所占面积可能要显著减小。正如本专业的技术人员都会明白的,储存单元面积的减小会使存储单元在低压下的性能降低,并对α粒子射线造成的软...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。