技术编号:6819556
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种动态随机存取存储器(DRAM)元件的制造方法,特别是涉及一种DRAM元件电容器结构的制造方法。高密度DRAM元件的发展常受限于其电容器结构,新的电容器设计,必须以增加电容器面积使电容量增加为目的。例如Kim的第5,447,882号美国专利便描述一种适用于堆叠电容器,形状为皇冠状的新存储节点外形(storage node configuration),其特征包含利用多晶硅突出的结构,以增加电容器的表面积,然而,此方法将增加工艺的复杂性,且不能提...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。