技术编号:6819557
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种在半导体衬底上制造动态随机存取存储器(dynamicrandom access memory,DRAM)的方法。由于电容的增加,使用一个堆叠电容来持续增加动态随机存取存储器的信号将受限于潜在转移晶体管的大小。潜在转移电晶体管尺寸的缩减将减少用于一个覆盖堆叠电容结构的面积,因此促使半导体器件设计师、以及工艺工程师转向动态随机存取存储器单元,以结合形成沟道电容。在一个半导体衬底沟道内形成动态随机存取存储器电容将使动态随机存取存储器件密度达到64百...
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