技术编号:6819558
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种存储单元(memory cell)的结构,且特别涉及一种存储单元的结构及其制造方法,其不仅具有接近于电可擦可编程只读存储器(Electrically Erasable Programming Read Only Memory;EEPROM)的保留时间(retention time),而且具有接近于动态随机存取存储器(Dynamic RandomAccessMemory;DRAM)的编程与擦除的时间。DRAM单元和DRAM阵列(DRAM arr...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。