技术编号:6819575
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及淀积膜的形成工艺、淀积膜的形成装置以及半导体元件的制造工艺,特别涉及半导体层含有微晶的光电转换元件的制造工艺。对于如光生伏特元件、传感器或类似物的光电转换元件,现已知道由ZnO或Ag为代表的材料构成的背面反射层形成在不锈钢基板上;非单晶半导体膜例如具有pin或nip结的非晶硅膜形成于其上;由ITO或SnO2为代表的材料构成的透明电极层叠其上。对于这些包含非单晶半导体的光电转换元件,一个很重要的课题是提高光电转换效率。在常规的非晶硅光电转换元件中,...
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