技术编号：6819724
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的制造方法，特别涉及带有介质膜由高介电常数或铁电材料制成的电容的半导体器件的制造方法。在1995年2月公开的日本待审专利公开No.7-50391公开了一种包括铁电膜作为电容介质的存储电容的常规半导体存储器件。在该存储器件中，使用以硅为基的半导体集成电路器件的通常制造工艺或技术可以完成存储电容。该常规存储器件利用铁电膜的剩余极化强度存储信息。对铁电膜施加正或负偏置电压由此在铁电膜中产生极化。即使停止施加偏置电压，由于剩余极化强度而在铁电膜...
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