技术编号：6819776
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体的制作工艺，特别涉及一种插塞(plug)的制造方法，可避免插塞表面产生凹槽现象。钨插塞广泛地应用于超大型集成电路的多重内连线(Interconnection)上。而且目前最重要的就是如何控制钨回蚀(etch back)制作工艺所产生的凹槽(recess)现象。在钨回蚀过程中，为了完全去除晶片上的残留钨金属，需要进行长时间的过蚀刻(overetching)步骤，以避免产生电流短路。然而，过蚀刻的时间越长，则钨插塞的凹槽现象越严重。而且当半...
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